捷报传来！国防科大攻克后摩尔芯片核心技术

国防科技大学联合中国科学院金属研究所研究团队，在后摩尔时代芯片核心技术领域取得重大突破，在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域实现关键突破，有望为我国自主可控芯片技术提供核心材料与器件支撑，相关成果已在线发表于国际顶级期刊《国家科学评论》。

据悉，原子级厚度的二维半导体，凭借迁移率高、带隙可调、栅控能力强的核心优势，被公认为后摩尔时代芯片材料的核心候选。但长期以来，晶格缺陷诱导的自发电子掺杂和费米能级钉扎效应，导致现有二维半导体材料体系陷入结构性失衡 ——N 型材料多、P 型材料少，且 N 型性能优、P 型性能弱，成为制约后摩尔芯片技术突破的关键瓶颈。

针对这一行业痛点，研究团队创新突破，建立了以液态金 / 钨双金属薄膜为衬底的化学气相沉积方法，成功实现晶圆级、掺杂可调的单层WSi2N4（氮化钨硅）薄膜可控生长。此次突破亮点显著：二维材料的单晶区域尺寸达到亚毫米级别，生长速率较现有文献报道值高出约1000 倍，大幅提升量产可行性。

在核心性能上，单层 WSi2N4 表现突出，不仅拥有高空穴迁移率、大开态电流密度，还具备高强度、良好散热性和稳定的化学性质，综合性能在同类二维材料中处于领先水平。这一成果充分表明，单层 WSi2N4 在二维半导体 CMOS 集成电路中拥有广阔应用前景，将为后摩尔芯片技术开辟全新路径，助力我国在高端芯片领域打破技术壁垒。

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